[发明专利]用于真空处理设在基板上的薄膜晶体管沟道的方法、薄膜晶体管和用于真空处理基板的设备有效
| 申请号： | 202010766473.8 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112048698B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·哈尼卡;约瑟夫·C·奥尔森;彼得·F·库伦齐;尹东基;马库斯·本德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/48;C23C14/56;H01L21/26;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于真空处理基板(10)的方法。所述方法包括：使用设在处理区域(110)中的注入源(130)用粒子来辐照基板(10)或基板(10)上的第一材料层；和在用粒子辐照基板(10)或第一材料层时，使基板(10)沿着运输路径(20)移动而通过处理区域(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 真空 处理 设在 基板上 薄膜晶体管 沟道 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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