[发明专利]DDR测试方法和装置在审

专利信息
申请号: 202010738400.8 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN112053731A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 李斌 申请(专利权)人: 深圳市宏旺微电子有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G11C29/56
代理公司: 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 代理人: 林国友
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种DDR测试方法和装置,运用于半导体集成电路测试技术领域,通过不同的测试数据和写反数据,实现对单元内不同数据位之间相互影响的检测,覆盖到了大多数常见的内存故障。同时,在增大间隔进行下一次读操作时,数据已经在存储单元中保持了一段时间,下一次的读操作还可以对部分的漏电故障进行检测,若芯片内部出现漏电故障,则高电压的cell会向低电压的cell漏电,经过一段时间的漏电之后高电压的cell则不能维持故会发生故障。综上,该方法是内存测试领域一个行之有效的测试方法,覆盖到大多数内存故障如地址解码故障、固定故障、转换故障、漏电故障、耦合故障、相邻矢量敏化故障等,方法可有效适用于正常量产程序。
搜索关键词: ddr 测试 方法 装置
【主权项】:
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