[发明专利]DDR测试方法和装置

权利要求书

1.一种DDR测试方法，其特征在于，所述测试方法测试DDR内存芯片中的固定故障和耦合故障，所述测试方法包括：

S1，接入所述DDR内存芯片，以调取DDR内存芯片中的单元数位逻辑数据表，所述单元数位逻辑数据表由若干个bank分区构成，所述bank分区具有若干列和若干行确定的存储单元；

S2，根据所述单元数位逻辑数据表的若干个bank分区的排序，以及所述bank分区行列排序，向所述bank分区中的数位上写入测试数据DB；

S3，根据所述单元数位逻辑数据表的若干个bank分区的排序，以及所述bank分区行列排序，对所述bank分区中的数位上的测试数据DB进行读取操作，并判断读取的值是否为所输入的测试数据，若是，则无故障执行下一步测试，若否，则弃用所述DDR内存芯片；

S4，采用第一间距值的第一间距测试逻辑对所述DDR内存芯片进行再测试，并判断所述DDR内存芯片是否故障，若否，则无故障执行下一步测试，若是，则弃用所述DDR内存芯片；

S5，采用第二间距值的第二间距测试逻辑对所述DDR内存芯片进行再测试，并判断所述DDR内存芯片是否故障，若否，则无故障执行下一步测试，若是，则弃用所述DDR内存芯片；

S6，采用第三间距值的第三间距测试逻辑对所述DDR内存芯片进行再测试，并判断所述DDR内存芯片是否故障，若否，则无故障执行下一步测试，若是，则弃用所述DDR内存芯片；

S7，经过2ⁿ次的间距值对应的间距逻辑测试后，判断DDR内存芯片是否故障，若否则输出测试结果至终端设备，若是则弃用所述DDR内存芯片。

2.根据权利要求1所述的DDR测试方法，其特征在于，采用第一间距值的第一间距测试逻辑对所述DDR内存芯片进行再测试，并判断所述DDR内存芯片是否故障的步骤S4包括：

所述bank分区具有若干列和若干行的存储单元，所述第一间距值为1，所述第一间距测试逻辑为测试bank分区中第一个存储单元开始在同一行中以列间隔为1从而连续跳到下一个存储单元进行继续测试，这一行最后一个单元测试完成后跳到下一行继续测试，直到bank分区中所有存储单元都完成测试；

S41，从bank分区的第一个存储单元开始，首先读取上一次写入的测试数据DB，并判断是否对应，若是，则无故障执行下一步测试，若否，则弃用所述DDR内存芯片；

S42，在bank分区的同一存储单元中写入与测试数据DB相反的写反数据DBbar；

S43，在bank分区的同一存储单元中再次读取写反数据DBbar，并判断是否对应，若是，则无故障，并以同样的步骤对下一个存储单元进行测试直到所有单元都完成测试，若所有单元都通过了测试，则执行下一步S5，若否，则弃用所述DDR内存芯片。

3.根据权利要求1所述的DDR测试方法，其特征在于，所述采用第二间距值的第二间距测试逻辑对所述DDR内存芯片进行再测试，并判断所述DDR内存芯片是否故障的步骤S5包括：

所述bank分区具有若干列和若干行的存储单元，所述第二间距值为2，所述第二间距测试逻辑为测试bank分区中第一个存储单元开始在同一行中以列间隔为2从而跳过一个存储单元跳到第三个存储单元进行继续测试，这一行最后一个单元测试完成后跳到下一行继续测试，直到bank分区中所有存储单元都完成测试；

S51，在bank分区的同一存储单元中，首先读取上一次写入的写反数据DBbar，并判断是否对应，若是，则无故障执行下一步测试，若否，则弃用所述DDR内存芯片；

S52，在bank分区的同一存储单元中写入与写反数据DBbar相反的测试数据DB；

S53，在bank分区的同一存储单元中再次读取测试数据DB，并判断是否对应，若是，则无故障并以同样的步骤对下一个存储单元进行测试直到所有应测单元都完成测试，再对未测试的其余单元进行隔列测试，若所有单元都通过了测试，则执行下一步S6，若否，则弃用所述DDR内存芯片。