[发明专利]源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构在审
| 申请号： | 202010732030.7 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112002752A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 夏玉明;卓恩宗;袁海江 | 申请（专利权）人： | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/288;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭露盈 |
| 地址： | 536000 广西壮族自治区北海市工业园北海大*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该源漏电极的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到源漏电极。采用上述制备方法得到的源漏电极的电导率较高。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 制备 方法 阵列 显示 机构 | ||
【主权项】：
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