[发明专利]极性可控的高质量AlN模板制备方法在审
| 申请号： | 202010600481.5 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111676451A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘志彬;郭亚楠;闫建昌;李晋闽;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种AlN模板制备方法，包括以下步骤：提供衬底；采用磁控溅射技术在所述衬底上沉积AlN薄膜，厚度为0.001微米至10微米，过程中通入含氧气体、纯氮气或氮气和惰性气体的混合气体，形成低质量AlN模板；其中，若通入含氧气体，则得到Al极性面高质量AlN模板；若通入不含氧气体而只含有氮气和惰性气体，且惰性气体比例较低或溅射功率较低时，使得衬底表面形成富氮条件，则得到N极性面或混合极性面的高质量Al模板；若惰性气体比例较高或溅射功率较高时，使得衬底表面形成富Al条件，则得到混合极性面或N极性面高质量AlN模板；将得到的低质量AlN模板放入高温腔室中进行高温退火处理，得到高质量AlN模板。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 可控 质量 aln 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
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