[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 202010529346.6 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111725324B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 龚吉祥;张毅先;鲜于文旭 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板以及薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅极；有源层，对应于所述栅极设置；源极和漏极，设置于所述有源层两端并与所述有源层电连接；以及层间绝缘层，设置于所述有源层与所述源极和所述漏极之间，所述层间绝缘层中开设有台阶状的接触孔，所述源极和漏极分别填充于所述接触孔中并与所述有源层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010529346.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无声语音识别方法及系统
- 下一篇：一种音频的储存和检索方法
- 同类专利
- 专利分类
