[发明专利]包括空气间隔件的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010517877.3 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN112086457A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 金根楠;全辰桓;黄有商 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置，其包括：包括沟槽的衬底。第一导电图案设置在沟槽内。第一导电图案具有比沟槽的宽度小的宽度。第一间隔件沿着第一导电图案的侧表面的至少一部分和沟槽延伸。第二间隔件至少部分地填充与第一间隔件相邻的沟槽。提供了空气间隔件，其包括在第一间隔件和第二间隔件之间的第一部分，以及设置在第二间隔件和第一部分上的第二部分。空气间隔件的第二部分的宽度大于空气间隔件的第一部分的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 空气 间隔 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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