[发明专利]在晶圆的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置有效
| 申请号： | 202010468199.6 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112011826B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | J·哈贝雷希特;S·海因里希;R·绍尔;R·施泰因 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C23C16/458 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于在具有取向切口的晶圆的正面上沉积外延层的装置，其包括用于保持和旋转具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座的机构；和由所述基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；和包括基座环的基座，所述基座环具有用于在所述晶圆的背面的边缘区域中搁置所述晶圆的支撑面和与所述支撑面相邻的所述基座环的阶式外边界，所述支撑面具有向内指向的突起部。 | ||
| 搜索关键词： | 面上 沉积 外延 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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