[发明专利]具有交错结构的半导体装置及其制造方法及电子设备有效

专利信息
申请号: 202010429360.9 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN111584486B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 朱慧珑;艾学正;张永奎 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种具有交错结构的半导体装置及其制造方法以及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例,半导体装置包括衬底上的第一器件和第二器件。第一器件和第二器件各自均包括梳齿形结构。梳齿形结构包括沿相对于衬底的竖直方向延伸的第一部分以及从第一部分沿相对于衬底的横向方向延伸且与衬底间隔开的一个或多个第二部分。第一器件的第二部分在竖直方向上的高度相对于第二器件的第二部分在竖直方向上的高度是交错的。第一器件的梳齿形结构与第二器件的梳齿形结构包括彼此不同的材料。
搜索关键词: 具有 交错 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 电子设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010429360.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top