[发明专利]一种自对准四重图形形成方法有效
| 申请号： | 202010426156.1 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111584431B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;王伯文;伍强;李艳丽 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准四重图形形成方法，包括：在衬底上依次形成第二芯轴层和第一芯轴层；形成第一芯轴图形；在第一芯轴图形侧壁上形成第一侧墙图形，并去除下方的第二芯轴层材料，形成第二芯轴中间图形；去除第一芯轴图形和下方的第二芯轴中间图形材料，形成具有竖直侧壁形貌的第二芯轴图形；去除第一侧墙图形；在第二芯轴图形上形成第二侧墙图形；去除第二芯轴图形，在衬底上形成第二侧墙图形。本发明能够有效避免图形的不对称形貌传递问题，并降低了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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