[发明专利]RC IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010424607.8 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111540678A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;王雷;孔蔚然;杨继业 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种RC IGBT器件及其制造方法。其中方法，包括以下步骤：提供硅片；对硅片的背面，进行第一次第一导电类型杂质离子注入；在第一次第一导电类型杂质离子注入的区域内，进行第二导电类型杂质离子注入；进行退火；使得第一次第一导电类型杂质离子注入的区域，退火形成场截止区，使得第二导电类型杂质离子注入的区域，退火形成第二导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区位于截止区中；在截止区中，进行第二次第一导电类型杂质离子注入；通过相间隔的退火激光，照射第二次第一导电类型杂质离子注入的区域，形成相间隔的第一导电类型掺杂区；对硅片背面结构金属化。本申请能解决相关技术中工艺难度大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | rc igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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