[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010417670.9 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN112820719A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金镇河 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置以及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：单元阵列，其包括源极结构；外围电路；互连结构，其位于单元阵列和外围电路之间并且电联接到外围电路；以及去耦结构，其被配置为防止单元阵列与互连结构之间出现的耦合电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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