[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202010416961.6 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111682092B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 侯想;刘杨;钟梦洁 | 申请（专利权）人： | 福建中晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津铂茂专利代理事务所(普通合伙) 12241 | 代理人： | 陈晓蕾 |
| 地址： | 364000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，AlN薄膜属于III‑V族化合物绝缘材料，具有很多优越的物理化学性质，如高硬度、很好的III导热性、低热膨胀系数、优良的化学稳定性。AlN和GaN的晶格常数比较接近，在蓝宝石上生长AlN层，可以减少蓝宝石和GaN之间因较大的晶格失配二导致的应变。本发明既保留了蓝宝石表明的光学面，也可解决由于PSS尺寸做大引起的外延雾化及位错问题，另一方面更有利于外延GaN的生长，缩短外延生长时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图形 蓝宝石 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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