[发明专利]半导体装置

摘要

公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；第一堆叠结构，具有在第一基底上顺序地移位并堆叠的第一栅电极；第二堆叠结构，具有在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的第二栅电极；结层，设置在第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；第一层间绝缘层，设置在第一堆叠结构的侧表面上；第二层间绝缘层，覆盖第二堆叠结构；第一沟道孔，穿透上述结构和/或层；以及第二沟道孔，穿透上述结构和/或层。第一沟道孔的第二部分在与第一方向正交的第二方向上的高度小于第二沟道孔的第二部分在第二方向上的高度。