[发明专利]一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010340570.0 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111508902B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 周扬;石浩;韩荣刚;李刚;李峰;连晓华;孔亮;刘帅;郑鹏飞;高洁;李玉文;郝秀敏;邢永和;李荣超 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司;国网山东省电力公司威海供电公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 宋傲男 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘结构、包覆芯片周缘的绝缘件及其制备方法。该绝缘结构，包括层叠设置的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其中，第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数。本发明提供的绝缘结构，通过设置第一绝缘层、第三绝缘层的热膨胀系数均小于第二绝缘层的热膨胀系数，使得该绝缘结构在受热时位于中间的第二绝缘层膨胀形变大于位于其两侧的第一绝缘层和第三绝缘层，将该绝缘结构形成闭合的绝缘件，受热时位于外侧的第三绝缘层抑制了第二绝缘层的向外膨胀，使其形变应力呈现向内压缩，从而使位于内侧的第一绝缘层能够与其包覆的芯片紧密结合，进而避免了高温状态下绝缘件与芯片之间发生脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 结构 芯片 周缘 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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