[发明专利]集成电路器件及制造其的方法在审
| 申请号： | 202010315963.6 | 申请日： | 2020-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN112420668A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李忠炫;崔准容;李泳周 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L23/48;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种集成电路器件和制造集成电路器件的方法，所述集成电路器件包括：导电线，包括金属层；以及绝缘盖结构，覆盖导电线。绝缘盖结构包括：第一绝缘盖图案，在绝缘盖结构中与金属层相邻并且具有第一密度；以及第二绝缘盖图案，与金属层间隔开且第一绝缘盖图案位于第二绝缘盖图案与金属层之间，第二绝缘盖图案具有比第一密度大的第二密度。为了制造所述集成电路器件，在基底上形成具有金属层的导电线，直接在金属层上形成具有第一密度的第一绝缘盖层，并且在第一绝缘盖层上形成具有比第一密度大的第二密度的第二绝缘盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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