[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010215487.0 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111834240A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 糸井清一;樱井大辅 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法能够实现稳定的形状的突起电极。半导体装置的制造方法包括：树脂形成工序，利用固化树脂覆盖包括多个电极焊盘的半导体元件的表面；突起形成工序，在电极焊盘上形成固化树脂的突起部，并且使突起部固化；树脂供给工序，通过耐镀覆液性树脂覆盖突起部；树脂露出工序，通过除去耐镀覆液性树脂的一部分，使突起部的一部分在耐镀覆液性树脂的表面上露出；溶解工序，通过除去相当于突起部的固化树脂，从而在耐镀覆液性树脂形成空洞部；镀覆工序，在空洞部填充金属；和树脂除去工序，除去耐镀覆液性树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下知识产权经营株式会社，未经松下知识产权经营株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010215487.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
