[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010155807.8 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112086435A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 卢立翰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/00;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有至少一晶粒。该至少一晶粒具有一集成电路区、围绕该集成电路区的一第一凹陷区以及围绕该第一凹陷区的一第二凹陷区。一第一凹陷部配置在该第一凹陷区中，且一第二凹陷部配置在该第二凹陷区中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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