[发明专利]改进的溅射处理和装置在审
申请号: | 202010135380.5 | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN111653503A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 丁锺才;申允锡;张德春 | 申请(专利权)人: | 洛克系统私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;C23C14/34;C23C14/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高岩;杨林森 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于溅射多个IC单元的方法,该方法包括以下步骤:向保持环施加层;在该层中切割孔的阵列;将保持环转移至模板,该模板位于放置站内;将所述孔的阵列与所述模板中的凹口的阵列对准;将IC单元传送至所述保持环,每个IC单元对应于对准的孔和凹口;以及向与所述保持环接合的所述IC单元施加溅射方法。 | ||
搜索关键词: | 改进 溅射 处理 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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