[发明专利]一种基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202010104860.5 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111276402A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;袁海东;林珍华;常晶晶 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/34;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/786 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。包括在衬底上制备金属氧化物层；采用化学气相沉积法制备薄层石墨烯；将两个等尺寸的薄层石墨烯转印到金属氧化物层表面的不同区域上；在两个薄层石墨烯上以及金属氧化物层表面位于两个薄层石墨烯之间形成的沟道上沉积栅绝缘层，最后在栅绝缘层表面制备栅电极层，即获得基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管。本发明还提供了一种所述的制备方法制备的基于金属氧化物/石墨烯异质结晶体管。本发明通过金属氧化物与石墨烯之间形成的异质结，使得金属氧化物与薄层石墨烯界面有着更小的界肖特基势垒，有效提升载流子在界面处的运输，从而提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 氧化物 石墨 烯异质 结晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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