[发明专利]MTP器件的制造方法及MTP器件

摘要

本发明提供了一种MTP器件的制造方法，包括：首先形成一包括编程区衬底和擦除区衬底的衬底；在所述编程区衬底中形成阱区；在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；在所述衬底上依次形成栅氧化层及浮栅层；对所述离子漂移区进行轻掺杂漏注入以形成浅结。进一步的，本发明还提供一种MTP器件，包括：衬底、栅氧化层以及浮栅层，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底，所述编程区衬底中形成有阱区，所述擦除区衬底中形成有离子漂移区，所述擦除区衬底中形成有浅结。其中，在所述擦除区衬底中形成离子漂移区并在其上形成浅结，这样形成的浅结的电荷容量能够进一步增加，从而提高了所述浅结的耐压性能，从而在MTP器件面积缩减的情况下提高MTP器件的擦除电压。