[发明专利]氨基酚醛树脂基吡咯氮掺杂碳电极材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010088986.8 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111196603B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 郭万春;田克松;杨薇;王君妍;曹玲;王海燕 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C01B32/348 | 分类号： | C01B32/348;C01B32/318;H01G11/44;H01G11/34 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张建 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了氨基酚醛树脂基吡咯氮掺杂碳电极材料的制备方法，具体步骤包括：A、3‑氨基苯酚‑3‑卤代苯酚‑甲醛树脂的制备；B、3‑氨基苯酚‑3‑卤代苯酚‑甲醛树脂的低温碳化；C、碳化后3‑氨基苯酚‑3‑卤代苯酚‑甲醛树脂的低温活化，本发明通过低温热处理实现了单一吡咯氮构型在碳材料中的掺杂，提高了氮掺杂活性位点在赝电容反应中的利用效率，同时降低了制备氮掺杂碳材料时的能源消耗，作为超级电容器电极材料应用时，氨基酚醛树脂基吡咯氮掺杂碳电极材料表现出高容量，典型的赝电容特征，良好的倍率性能和高循环稳定性特征。 | ||
| 搜索关键词： | 氨基 酚醛树脂 吡咯 掺杂 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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