[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010088911.X | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN112510013A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 若月启;饭野知久;服卷直美;佐藤三铃;竹内将胜 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式涉及一种半导体制造装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：势垒金属层，其设置在绝缘层的表面；及导电层，其具有设置在势垒金属层的表面的第1金属层、及设置在第1金属层的表面的第2金属层。第2金属层包含与第1金属层相同的金属、及能够将与该金属键合的氟去除的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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