[发明专利]半导体结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 202010084404.9 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113257823B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 许哲睿;吕俊昇;童盈辅;晏懋昌;彭琬瑜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00;H10B41/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构以及其形成方法，该半导体结构的形成方法包含以下步骤：提供衬底；形成堆叠结构于衬底上；形成阻障层于堆叠结构的侧壁上；形成第一介电层覆盖阻障层以及堆叠结构；移除第一介电层的一部分以暴露出堆叠结构的上部；形成金属层覆盖堆叠结构以及第一介电层；实行退火工艺使金属层与堆叠结构反应，以于堆叠结构的上部形成金属硅化物层；移除金属层的未反应部分；移除阻障层的一部分，以于阻障层的上方形成凹陷；以及形成第二介电层覆盖金属硅化物层以及第一介电层，以于堆叠结构的两侧形成空气间隙，藉此降低导电材料残留造成字元线短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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