[发明专利]一种具有衬底耐压结构的片上变压器在审
| 申请号： | 202010080768.X | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN111180179A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 伍荣翔;吴靓雯;吕桄甫 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F30/06;H01L49/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有衬底耐压结构的片上变压器，包括衬底、第一金属绕组和第二金属绕组，所述第一金属绕组设置于所述衬底的第一表面，所述第二金属绕组设置于所述衬底与第一表面相对的第二表面；所述衬底包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三区域，所述第一掺杂区位于第一金属绕组与衬底第三区域之间，所述第二掺杂区位于第二金属绕组与衬底第三区域之间；所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度高于衬底第三区域的掺杂浓度。本发明通过在衬底中引入掺杂结构，显著提升了片上变压器的隔离能力。另一方面，本发明衬底第三区域掺杂浓度可通过选用相应的衬底实现，额外仅需增加一次或者两次掺杂工艺形成第一掺杂区和第二掺杂区，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 衬底 耐压 结构 变压器 | ||
【主权项】：
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