[发明专利]电容结构以及其制作方法在审
| 申请号： | 202010080562.7 | 申请日： | 2020-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113224038A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李世平;黄彬杰;林欣怡;黄国芳;王长岳 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/522;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种电容结构以及其制作方法，其中该电容结构包含一下电极板位于一基底上，其中该下电极板上具有多个凹槽，一电容介电层位于该下电极板上与该些凹槽上，以及一上电极板位于该电容介电层上，其中该电容介电层与该上电极板的边缘具有往与该下电极板的顶面垂直的方向延伸的垂直延伸部位。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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