[发明专利]光增感化学放大型抗蚀剂材料、图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、纳米压印用模板有效
| 申请号： | 202010075147.2 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111562720B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 永原诚司;田川精一;大岛明博 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;C07C303/32;C07C309/07;C07C381/12;C08F220/14;C08F220/22;C08F220/28;C08F220/38;G03F1/20;G03F1/24;G03F1/26;G03F7/00;G03F7/038;G03F7 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。 | ||
| 搜索关键词： | 感化 大型 抗蚀剂 材料 图案 形成 方法 半导体器件 光刻 用掩模 纳米 压印 模板 | ||
【主权项】：
暂无信息
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