[发明专利]一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010066840.3 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244259B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 伍文涛;梁恬恬;张国峰;应利良;王永良;高波;彭炜;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H10N60/80;H10N60/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1‑1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 约瑟夫 超导 量子 干涉 器件 制备 方法 | ||
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- 本申请公开了一种处理衬底及制作倒装量子芯片的方法，属于量子计算领域。衬底的处理方法包括定向地朝处于加热状态的金属互联件提供还原性气体预设时长；其中，衬底位于真空或惰性气氛环境中且具有金属互联件。通过将提供还原性气体可以使金属互联件免于被氧化，从而能够使得基于其制作的倒装焊结构具有更高的品质。
- 一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法-202010066840.3
- 伍文涛;梁恬恬;张国峰;应利良;王永良;高波;彭炜;王镇 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2020-01-20 - 2023-07-25 - H10N60/01
- 本申请提供一种约瑟夫森结及超导量子干涉器件的制备方法，该约瑟夫森结的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在衬底上依次制备第一超导薄膜层、绝缘层和第二超导薄膜层；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第一区域进行刻蚀处理，形成第一约瑟夫森结区；采用曝光显影结合刻蚀技术对第二超导薄膜层的第二区域进行刻蚀处理，于第一区域和第二区域的重叠部分形成第二约瑟夫森结区；第二约瑟夫森结区的尺寸能够通过调整衬底的位置或调整校准片的位置调整为A*A微米,其中A的范围为0.1‑1微米。本申请实施例提供的约瑟夫森结的制备方法对第二超导薄膜层采用两次曝光显影结合刻蚀技术定义约瑟夫森结区，能够实现亚微米约瑟夫森结的制备。
- 一种量子器件的制备方法、量子芯片-202111682606.4
- 杨晖;马亮亮 - 本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
- 2021-12-30 - 2023-07-14 - H10N60/01
- 本申请公开了一种量子器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底；形成金属层于所述衬底上；形成阻挡层于所述金属层上；刻蚀所述阻挡层和所述金属层以获得位于所述阻挡层的电路图形和位于所述金属层的量子电路；形成连接结构于所述电路图形上；以所述连接结构为掩模刻蚀所述电路图形以暴露出所述量子电路，本申请提供的一种量子器件的制备方法，先在衬底上形成金属层，再形成阻挡层于所述金属层上，再对阻挡层和金属层进行刻蚀，再在电路图形上形成用于倒装焊的连接结构，利用连接结构充当掩模，刻蚀所述电路图形以暴露出所述量子电路，本申请无需额外制作用于图形化阻挡层以暴露出所述量子电路的光刻胶掩模，简化了倒装焊量子器件的制备工艺。
- 空气桥的制造方法以及超导量子芯片-202310485638.8
- 请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;张辉 - 本源量子计算科技（合肥）股份有限公司
- 2023-04-28 - 2023-07-14 - H10N60/01
- 本发明公开了一种空气桥的制造方法以及超导量子芯片。该制造方法包括：提供基底；形成第一光刻胶层于基底上，并在第一光刻胶层上形成四个中心点两两相连构成预设四边形的通孔；以相同厚度形成填充每个通孔的第一金属结构以及覆盖四个通孔之间的第一光刻胶层且与第一金属结构相连的第二金属结构；去除第一光刻胶层，以获得空气桥。第一金属结构作为桥墩，第二金属结构作为连接桥墩的桥面，由于桥墩有四根，且四根桥墩两两之间都连接有桥面，空气桥的结构强度得到加强，从而能够提高空气桥的结构稳定性，在去除光刻胶时，不容易造成结构破坏，且去除光刻胶后，也不容易坍塌。
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