[发明专利]形成导电通孔的方法和形成存储器阵列的方法

摘要

本申请涉及形成导电通孔的方法和形成存储器阵列的方法。一种形成集成电路系统的导电通孔的方法包括在第一掩模材料中形成第一开口，其中所述第一开口沿着横穿所述第一开口的线间隔开。用第二掩模材料对所述第一开口的侧壁作内衬以在所述第一开口中的单独的第一开口内形成环并且在所述单独的第一开口内形成径向地位于所述环内部的第二开口。沿着所述线去除所述第一掩模材料以在所述环中的紧邻环之间形成空隙空间。形成包括所述环和第三掩模材料中的第三开口的掩模，其中所述第三开口沿着所述线在所述环中的多个环和所述第二开口中的多个第二开口上方且跨所述多个环和所述多个第二开口延伸。在蚀刻到通过所述第三开口暴露的衬底材料中时将所述掩模用作蚀刻掩模以在所述衬底材料中形成沿着所述线间隔开的接触开口。在所述接触开口中形成导电材料以形成导电通孔。