[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010053182.4 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242380A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 大野天頌;久米一平 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3105;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的半导体元件。第1绝缘膜被覆半导体衬底。第1侧壁膜设置在第1绝缘膜的侧部，且紫外线的吸收系数大于第1绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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