[发明专利]3D存储器件及粘附膜的原子层沉积方法在审
| 申请号： | 202010046821.4 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111211048A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 毛格;胡凯;刘子良;李远 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/02;H01L27/11521;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了3D存储器件及粘附膜的原子层沉积方法。该原子层沉积方法包括：在反应室中放置形成有层间绝缘层的衬底；通入包含Ti的第一反应气体；以及通入包含N的第二反应气体和包含Si的第三反应气体，其中，所述原子层沉积方法在所述层间绝缘层的暴露表面上形成无定形TiSiN膜作为粘附膜。在3D存储器件中，粘附膜位于栅极导体和层间绝缘层之间，用于改善栅极导体的粘附力，同时作为阻挡层以防止栅极导体的形成步骤中产生的氟扩散进入至层间绝缘层中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 粘附 原子 沉积 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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