[发明专利]一种LED芯片结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010041819.8 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111244236B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 何鹏;廖富达;徐平;苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片结构及其制作方法，LED芯片结构包括依次设置的衬底、U型氮化镓层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层，LED芯片结构还包括位于透明导电层的P电极和位于N型半导体层上的N电极，N型半导体层包括N型半导体重掺杂层和N型半导体轻掺杂层，N型半导体重掺杂层包括多个第一凸起和多个凹槽，N型半导体轻掺杂层包括多个第二凸起和镂空部，镂空部和凹槽共同形成沟槽；通过依次制作衬底、U型氮化镓层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层形成LED芯片。本发明通过选择性刻蚀的制作工艺，在N型半导体重掺杂层和N型半导体轻掺杂层上形成电子流面扩散区域，能够提升LED芯片光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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