[发明专利]一种双层沟道结构的突触晶体管在审
| 申请号： | 202010040658.0 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111211162A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 霍文星 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层沟道结构的突触晶体管，包括衬底，所述衬底上设置有通过栅绝缘层与源电极、漏电极相隔开的栅电极，所述源电极和漏电极在同层间隔设置；所述栅绝缘层与源电极、漏电极之间设置有低电阻率沟道层和高电阻率沟道层；所述低电阻率沟道层位于栅绝缘层与高电阻率沟道层之间，所述低电阻率沟道层的厚度为3nm‑10nm；所述高电阻率沟道层位于低电阻率沟道层与源电极、漏电极之间，所述高电阻率沟道层的厚度为40nm‑100nm。本发明旨在提供一种通过在晶体管内设置高低电阻的双层沟道结构，使晶体管的转移特性曲线中制造出存储窗口，实现仿生突触信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 沟道 结构 突触 晶体管 | ||
【主权项】：
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