[发明专利]电阻式存储器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202010035925.5 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113192929B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王温壬;郑钧鸿;王泉富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H10B63/00;H10N70/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电阻式存储器结构及其制作方法，其中该电阻式存储器结构包含一基底，基底分为一存储器区和一逻辑元件区，一金属插塞位于存储器区内，一电阻式存储器设置于金属插塞上并且接触金属插塞，其中电阻式存储器包含一上电极、一可变电阻层和一下电极，可变电阻层位于上电极和下电极之间，可变电阻层具有一第一下表面，下电极具有一第一上表面，第一下表面和第一上表面的形状和面积相同并且第一下表面仅部分重叠且接触第一上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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