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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电阻式存储器结构及其制作方法-CN202010035925.5有效
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式存储器结构及其制作方法，其中该电阻式存储器结构包含一基底，基底分为一存储器区和一逻辑元件区，一金属插塞位于存储器区内，一电阻式存储器设置于金属插塞上并且接触金属插塞，其中电阻式存储器包含一上电极、一可变电阻层和一下电极，可变电阻层位于上电极和下电极之间，可变电阻层具有一第一下表面，下电极具有一第一上表面，第一下表面和第一上表面的形状和面积相同并且第一下表面仅部分重叠且接触第一上表面。
电阻存储器结构及其制作方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器装置及其制造方法-CN202110890937.0在审
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器装置及其制造方法，其中该电阻式随机存取存储器装置包括：介电层，位于衬底上方；第一电极，位于所述介电层上方，其中所述第一电极为柱状体；第二电极，覆盖所述第一电极的侧壁与顶面；以及可变电阻层，夹于所述第一电极的所述顶面与所述第二电极之间，所述第一电极的所述侧壁与所述第二电极之间且位于所述第二电极与所述介电层之间。
电阻随机存取存储器装置及其制造方法

[发明专利]可变电阻式存储器装置及其形成方法-CN202110641056.5在审
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可变电阻式存储器装置及其形成方法，其中该可变电阻式存储器(resistive random‑access memory,RRAM)装置，包含有一底电极、一电阻材料层、一高功函数层、一顶电极、一硬掩模以及高功函数侧壁部分。底电极、电阻材料层、高功函数层、顶电极以及硬掩模依序堆叠于一基底上。高功函数侧壁部分覆盖顶电极的侧壁，以及硬掩模的侧壁，因而构成一可变电阻式存储器单元。
可变电阻存储器装置及其形成方法

[发明专利]可变电阻式存储器结构及其形成方法-CN202011604690.3在审
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种可变电阻式存储器结构及其形成方法，其中该可变电阻式存储器结构包含一可变电阻式存储器单元、间隙壁以及一介电层。可变电阻式存储器单元设置于一基底上。间隙壁设置于可变电阻式存储器单元侧边，其中间隙壁的上表面的宽度大于或等于下表面的宽度。介电层全面覆盖基底并夹置可变电阻式存储器单元，其中间隙壁位于介电层中。
可变电阻存储器结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202011037705.2在审
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括基底，其包括一存储器区及一逻辑区。第一介电层，位于该基底上。一第一导电结构以及一第二导电结构，分别位于该存储器区及该逻辑区上的该第一介电层中。一存储单元，位于该第一介电层上并且直接接触该第一导电结构的一顶面。一第一盖层位于该第一介电层上并且连续覆盖该存储单元的一顶面和一侧壁并且直接接触该第二导电结构的一顶面。一第二介电层，位于该第一盖层上。一第三导电结构，位于该第二介电层中并且穿过该第一盖层以接触该存储单元。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法-CN201810743179.8有效
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明披露一种半导体存储器元件及其制作方法，该半导体存储器元件包含一存储器栅极，设于基底的主表面上，其中存储器栅极具有第一侧壁及第二侧壁、一控制栅极，设于存储器栅极一侧，其中控制栅极具有第三侧壁及第四侧壁、一缝隙，介于存储器栅极的第二侧壁与控制栅极的第三侧壁之间、一第一单间隙壁结构，设于存储器栅极的第一侧壁上、一第二单间隙壁结构，设于控制栅极的第四侧壁上，及一缝隙填充层，填满缝隙。
半导体存储器元件及其制作方法

[发明专利]存储器元件结构及其制造方法-CN201910999208.1在审
发明人： 王温壬;郑钧鸿;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器元件结构及其制造方法，其中该存储器元件结构包括基板。存储堆叠结构在所述基板上，由第一电极层、存储材料层及第二电极层叠置。所述存储材料层或是所述存储材料层与所述第一电极层具有倾斜侧壁，相对于所述第二电极层的侧壁内凹。间隙壁设置在所述倾斜侧壁上。
存储器元件结构及其制造方法

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