[发明专利]一种具有P型漂移区和N型沟道的槽栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202010014208.4 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111192922A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;许晓锐;张舒逸;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：将常规N型漂移区N型沟道的载流子储存槽栅双极型晶体管(ND‑IGBT)的制造工艺用于P型硅片上，即将传统的N型漂移区变为P型漂移区，且放置于N型缓冲层3和N型CS层10之间。因此，本发明的PD‑IGBT具有与商业化ND‑IGBT兼容的工艺流程。在器件关断过程中，PD‑IGBT通过内部寄生晶闸管的电流正反馈作用，加速了器件对过剩载流子的抽取。同时，由于PD‑IGBT的耗尽层可以扩展进N型缓冲层内部，抽取了绝大多数存储在N型缓冲层内部的过剩少子，仅留下少数过剩少子来通过复合消除。因此，加快了PD‑IGBT的关断速度，同时降低了PD‑IGBT的关断功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 漂移 沟道 槽栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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