[发明专利]电子组件及其制备方法、模具及其制备方法在审
| 申请号： | 201980090113.6 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN113383423A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 康佳昊;袁泽;管曦萌;魏鹏 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H05K1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种电子组件(10)及其制备方法、模具(20)及其制备方法，该电子组件(10)包括第一弹性基材(300)、可拉伸导线(100)、第一功能元件(210)和第二功能元件(220)，可拉伸导线(100)、第一功能元件(210)和第二功能元件(220)位于第一弹性基材(300)的同一侧，可拉伸导线(100)的相对两端分别电连接第一功能元件(210)及第二功能元件(220)。该电子组件(10)的制备方法有助于提高电子组件(10)的制备良率，便于电子组件(10)的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 组件 及其 制备 方法 模具 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
