[发明专利]包括二维材料的晶体管及相关半导体装置、系统及方法在审
| 申请号： | 201980056821.8 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112640126A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | W·库拉;G·S·桑胡;J·A·斯迈思 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/66;H01L21/8234;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管，其包括材料上的沟道区域。所述沟道区域包括二维材料，其包括对置侧壁且定向为垂直于所述材料。栅极电介质位于所述二维材料上且栅极位于所述栅极电介质上。本发明公开包含至少一个晶体管的半导体装置及系统，以及形成半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 二维 材料 晶体管 相关 半导体 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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