[发明专利]具有半导体接触层的光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201980055067.6 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112585769A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·托拉比马兹雷埃内;马里耶·格拉斯·贾马;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·普福伊费尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;支娜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种光电子半导体器件(10)，包括：第一导电类型的第一半导体层(120)；第二导电类型的第二半导体层(130)，其中第一半导体层和第二半导体层(120，130)的半导体材料分别是化合物半导体材料，其包含第一、第二和第三组成元素；和用于电接触第二半导体层(130)的第二接触区域(135)。第二接触区域(135)具有第二金属接触层(134)以及在金属接触层(134)和第二半导体层(130)之间的半导体接触层(132)。半导体接触层(132)的半导体材料包含第一、第二和第三组成元素，其中第一和第二组成元素的浓度从在第二半导体层(130)的侧上的位置直至在第二金属接触层(134)的侧上的位置改变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 半导体 接触 光电子 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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