[发明专利]蚀刻的方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201980053944.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112567502A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 岩野光纮;细谷正德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在例示性的实施方式所涉及的方法中，通过等离子体蚀刻来蚀刻第一区域，以使第一区域在比第二区域靠基板内的更深的位置提供其上表面。接下来，通过在等离子体处理装置的腔室内生成烃气的等离子体，来在基板上形成含碳的沉积物。接下来，通过等离子体蚀刻，进一步蚀刻第一区域。在烃气的等离子体的生成过程中，通过电磁体形成在基板的边缘侧上的水平分量比在基板的中心上的水平分量大的磁场分布。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
