[发明专利]稠环噻吩分子、p型半导体膜和电子器件在审
| 申请号： | 201980051845.4 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112533926A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 松泽伸行;新井秀幸;笹子胜 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | C07D495/14 | 分类号： | C07D495/14;H01L51/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供空穴迁移率更充分高的稠环噻吩分子。一种稠环噻吩分子，在1分子中具有包含3个噻吩环的7个芳香环，且上述7个芳香环具有1个或2个萘结构部。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 分子 半导体 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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