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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机导电体用的添加剂及其制造方法、有机导电体、以及电解电容器-CN202180033106.X有效
发明人：林敬祐;松泽伸行;泷泽俊幸;前岛宏行 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本发明的有机导电体用的添加剂包含萘环、与上述萘环键合的至少2个磺酸基和与上述萘环键合的至少1个羧基。在上述磺酸基的个数为2的情况下，在将各磺酸基设定为第1磺酸基及第2磺酸基，将上述第1磺酸基所键合的上述萘环的碳原子及上述第2磺酸基所键合的上述萘环的碳原子分别设定为第1碳原子及第2碳原子时，夹在上述第1碳原子与上述第2碳原子之间的碳原子的个数n为3以下。
有机导电体用添加剂及其制造方法以及电解电容器

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN201780016139.7有效
发明人：尾花良哲;中山典一;根岸佑树;长谷川雄大;榎修;齐藤阳介;竹村一郎;松泽伸行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：根据本发明的光电转换元件包括：第一电极和第二电极，它们彼此面对地布置着；以及光电转换层，它被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含由下列的通式(1)、通式(2)和通式(3)中的任一者表示的多环芳香族化合物中的至少一种：
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]包含杂富勒烯的p型半导体膜和电子设备-CN201880054454.3有效
发明人： 松泽伸行;笹子胜;中顺一 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K85/20 文献下载
摘要：本发明提供一种包含空穴迁移率更充分高的杂富勒烯的p型半导体膜。p型半导体膜包含将构成富勒烯的碳原子之中的n+r个(n和r均为正的奇数)碳原子用n个硼原子和r个氮原子取代而得的杂富勒烯。
包含杂富勒烯半导体电子设备

[发明专利]稠环杂5元环分子、p型半导体膜和电子器件-CN201980051769.7有效
发明人： 松泽伸行;新井秀幸;笹子胜 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C07D493/14 文献下载
摘要：本发明提供空穴迁移率更充分高的稠环杂5元环分子。一种稠环杂5元环分子，其在1分子中具有包含3个或5个杂5元环的8个芳香环，且上述8个芳香环具有1个或2个萘结构部，上述3个或5个杂5元环各自独立地选自噻吩环、硒吩环和呋喃环。
稠环杂分子半导体电子器件

[发明专利]杂富勒烯以及使用了其的n型半导体膜和电子设备-CN201880054420.4有效
发明人： 松泽伸行;笹子胜;中顺一 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C01B32/156 文献下载
摘要：杂富勒烯中构成富勒烯的n个(n为正的偶数)碳原子用n个硼原子或n个氮原子进行了取代。
杂富勒烯以及使用半导体电子设备

[发明专利]蓄电设备-CN202211283201.8在审
发明人：久保大辅;莲道雄;松泽伸行;增田美代子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种蓄电设备，其具备蓄电元件、具有开口部并且收容所述蓄电元件的外壳、和将所述开口部封口的封口构件。所述封口构件具备嵌入到所述开口部的弹性构件。所述弹性构件包含弹性高分子和受阻酚化合物。对于所述受阻酚化合物而言，在酚骨架中，在与酚性羟基相邻的第1取代位置和第2取代位置分别具有第1受阻基团和第2受阻基团。所述第1受阻基团和所述第2受阻基团分别包含至少1个叔碳，就所述第1受阻基团和所述第2受阻基团而言，所述叔碳中的1个分别键合于所述第1取代位置和所述第2取代位置。
设备

[发明专利]蓄电设备-CN201880061655.6有效
发明人：久保大辅;莲道雄;松泽伸行;增田美代子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01G9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种蓄电设备，其具备蓄电元件、具有开口部并且收容所述蓄电元件的外壳、和将所述开口部封口的封口构件。所述封口构件具备嵌入到所述开口部的弹性构件。所述弹性构件包含弹性高分子和受阻酚化合物。对于所述受阻酚化合物而言，在酚骨架中，在与酚性羟基相邻的第1取代位置和第2取代位置分别具有第1受阻基团和第2受阻基团。所述第1受阻基团和所述第2受阻基团分别包含至少1个叔碳，就所述第1受阻基团和所述第2受阻基团而言，所述叔碳中的1个分别键合于所述第1取代位置和所述第2取代位置。
设备

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN202210905108.X在审
发明人： 松泽伸行;长谷川雄大;尾花良哲;竹村一郎;山口哲司;榎修 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方式，光电转换元件包括：彼此相对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，并且所述第二有机半导体材料具有比所述第一有机半导体材料的HOMO能级深的HOMO能级。
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN201780043475.0有效
发明人： 松泽伸行;长谷川雄大;尾花良哲;竹村一郎;山口哲司;榎修 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方式，光电转换元件包括：彼此相对的第一电极和第二电极；以及光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且包括具有互不相同的母体骨架的第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，其中，所述第一有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物，并且所述第二有机半导体材料具有比所述第一有机半导体材料的HOMO能级深的HOMO能级。
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]介电组合物、介电膜和电容器-CN202080073240.8在审
发明人：小城原佑亮;前岛宏行;松泽伸行;森田秀幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C08G63/685 文献下载
摘要：提供了不包含酰胺键并且具有高电容率的介电组合物。介电组合物包含聚合物，所述聚合物具有包含至少一个杂环和至少一个羰基的单元结构的重复结构。所述单元结构优选地包括至少一种化学结构，所述至少一种化学结构包含所述至少一个杂环和与所述至少一个杂环结合的所述至少一个羰基。
组合介电膜电容器

[发明专利]固态成像元件、光电转换膜、电子阻挡层、摄像装置及电子设备-CN201680030989.8有效
发明人：长谷川雄大;松泽伸行;保原大介;若宫淳志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及可以适当地对具有高光谱特性和高光电转换效率的特定波长的光进行光电转换的固态成像元件；光电转换膜；电子阻挡层；摄像装置；及电子设备。光电转换层或电子阻挡层由仅由由化学式(1)表示的化合物制成的光电转换膜构成。本技术可以应用于固态成像元件。
固态成像元件光电转换电子阻挡摄像装置电子设备

[发明专利]光电转换膜、光电转换元件和电子设备-CN201710880142.5有效
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换元件电子设备

[发明专利]光电转换元件和电子设备-CN202011260773.5在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种光电转换元件，其包括：光电转换膜；配置在所述光电转换膜两侧的一对电极，所述光电转换膜夹在其间；和配置在所述光电转换膜和一个电极之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层的电离电位与所述的一个电极的功函数之间的差大于或等于2.3eV。
光电转换元件电子设备

[发明专利]光电转换膜、光电转换元件和电子设备-CN202011258958.2在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物和由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换元件电子设备

[发明专利]光电转换膜和电子设备-CN202011258985.X在审
发明人：尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含由以下通式(2)表示的亚酞菁衍生物的光电转换膜。
光电转换电子设备

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