[发明专利]基板处理系统和基板处理方法在审
| 申请号： | 201980026998.3 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN112005359A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 川口义广;森弘明;久野和哉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;B23K26/02;B23K26/03;B23K26/60;B24B7/04;H01L21/301;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基板处理系统，具备：预对准装置，其具有预对准台和检测器，所述预对准台保持被处理基板，所述检测器检测被保持于所述预对准台的所述被处理基板的中心位置和结晶方位；以及激光加工装置，其具有激光加工台和激光加工头，所述激光加工台保持所述被处理基板，所述激光加工头将用于加工所述被处理基板的激光光线聚光并照射至被保持于所述激光加工台的所述被处理基板，其中，所述预对准装置配置于所述激光加工装置的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
