[实用新型]一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201922134203.0 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN210723040U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 田涛;张营 | 申请（专利权）人： | 济宁学院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 丁鹏鹏 |
| 地址： | 272001 山东省济宁*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本实用新型器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本实用新型器件的阳极，本实用新型与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 绝缘体 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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