[实用新型]一种多层单元NAND闪存有效
| 申请号： | 201921361291.1 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN210052532U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈惕生;耿志远 | 申请（专利权）人： | 本征信息技术(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种多层单元NAND闪存，与不同位线连接的NAND串连接至不同的源极线，源极线连接至对应的源极电压选择器，所有的源极电压选择器的电压输入端连接至一个或多个源极电压生成器。源极电压选择器的输入参数端可连接至对应的位线感测电路的锁存器模块。 | ||
| 搜索关键词： | 源极电压 选择器 源极线 位线 本实用新型 电压输入端 锁存器模块 多层单元 感测电路 输入参数 串连接 可连接 生成器 | ||
【主权项】：
1.一种多层单元NAND闪存，包括闪存单元阵列、读/写电路、输入输出缓冲区、控制电路、行译码器和列译码器，其特征在于，所述的读/写电路中，与不同位线连接的NAND串的源极连接至独立的源极线，源极线与位线一一对应。/n
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