[实用新型]靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备有效

专利信息
申请号: 201921337272.5 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN210974857U 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 钱涛;钱政羽;吴其涛 申请(专利权)人: 星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32297 代理人: 陆明耀;顾祥安
地址: 215122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型揭示了靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备,其中靶材利用率改善型溅射源包括支柱,所述支柱上共轴设置有磁体座,所述磁体座上设置有磁体,所述支柱的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套,所述旋转套上共轴设置有套装在磁体座外周且与磁体座保持间隙的靶材固定套,所述靶材固定套上设置有靶材。本方案设计精巧,采用使靶材转动,磁体不转动的方式来代替现有的靶材固定,磁体转动的方式,改变了惯用思维方式,可以使靶材的各区域能够被均匀的轰击,从而有效的提高靶材的利用率,避免靶材的浪费,降低生产成本;同时适用于圆环形的靶材的使用,能够有效的提高工作效率。
搜索关键词: 利用率 改善 溅射 沉积 设备
【主权项】:
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