[发明专利]芯片转移到晶圆的方法有效
申请号: | 201911417000.0 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111162037B | 公开(公告)日: | 2023-09-26 |
发明(设计)人: | 刘孟彬;李林超 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种芯片转移到晶圆的方法,包括:提供衬底,衬底包括一个或多个第一区域;在衬底上形成多个呈阵列排布的多个源芯片,每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片,第一阵列为A行×B列;提供目标器件晶圆,目标器件晶圆具有多个第一目标区域,第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同;通过第一转移操作将一个或多个第一区域上的全部源芯片,转移到目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域。本发明能够实现大量的芯片同步转移和键合贴装,大大提高了生产效率,并降低成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片 转移 到晶圆 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造