[发明专利]脱气工艺方法和金属硬掩膜层的制造方法在审
| 申请号： | 201911407812.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111106062A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 范思苓;倪立华;许隽 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种脱气工艺方法，包括：步骤一、提供表面上形成有需脱气的前层介质膜层的晶圆；步骤二、将脱气腔体中的晶圆承载台加热到设定温度；步骤三、将晶圆放置到脱气腔体中的位于上位置的所述顶针上；步骤四、在上位置对晶圆进行预热；步骤五、将顶针移动到下位置将预热结束后的晶圆放置到晶圆承载台上并对晶圆进行脱气处理。本发明还公开了一种金属硬掩膜层的制造方法。本发明能避免在脱气过程中晶圆快速升温到设定温度时所产生的前层介质膜层的剥离缺陷，从而能提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 脱气 工艺 方法 金属 硬掩膜层 制造 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
