[发明专利]VDMOS器件ESD保护结构及其制作工艺有效
| 申请号： | 201911383539.9 | 申请日： | 2019-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111063618B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张倩;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作工艺。其中制作工艺包括提供第一导电类型外延片，在所述第一导电类型外延片上制作多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻胶；在所述多晶硅的边缘，靠近其他有源区位置处，形成ESD保护区；进行光刻工艺，保留所述ESD保护区位置处的光刻胶；轻掺杂注入第一导电类型离子；去除所述光刻胶；刻蚀所述多晶硅，形成栅极结构；重掺杂注入第一导电类型离子，在所述ESD保护区位置处形成多个相间隔的阴极区域；重掺杂第二导电类型离子，在所述ESD保护区位置处形成多个相间隔的阳极区域。其中ESD保护结构为通过上述工艺制作而成的结构。本发明结构和制作工艺简单，能够节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 esd 保护 结构 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
