[发明专利]像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器在审
申请号: | 201911335959.X | 申请日: | 2019-12-23 |
公开(公告)号: | CN112951865A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 吴明宪;蔡曜骏 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种像素结构及其制造方法、以及具有此种像素结构的显示器,其中该像素结构包括原始发光二极管管芯、修补用发光二极管管芯和延伸导体。原始发光二极管管芯包括第一外延层、第一电极和第二电极,第一电极和第二电极设置于第一外延层的相对侧。修补用发光二极管管芯与原始发光二极管管芯为同色光,且修补用发光二极管管芯包括第二外延层、第三电极和第四电极,第三电极和第四电极设置于第二外延层的相同侧。延伸导体具有第一部分、第二部分以及切断区域。第一部分电连接原始发光二极管管芯的第二电极。第二部分电连接修补用发光二极管管芯的第三电极。切断区域位于第一部分或位于第一部分和第二部分之间。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 以及 具有 显示器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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